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研发成果

Research and Development Achievements

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核心技术突破
芯谦打破了国外的长期垄断，在国内首批实现8/12英寸抛光垫量产。经过CMP抛光垫制备工艺上不断创新，通过优化材料配方和生产工艺，全面提升抛光垫性能和使用寿命，并且在平整度、均匀性、去除率等关键指标上表现优秀，能够满足集成电路、芯片制造领域对高精度抛光的要求。
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技术专利布局
截止2024年12月底，上海芯谦具有自主知识产权，抛光垫专利50项（35项发明专利、15项实用新型专利），涵盖抛光垫相关的配方、工艺及设备等。技术水平已经处于世界领先地位，有效打破了美国在CMP抛光垫领域的垄断地位。在130-7nm的生产工艺中拥有成熟量产经验，满足不同节点晶圆制造需求。
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立足国产替代先锋：积极投入研发资源，不断提升全流程研发与制造，凭借自主可控技术优势，逐步抢占被进口产品占据的市场，成为国内晶圆厂信赖的供应商，助力半导体产业自主化。